8.3. 应用示例¶
8.3.1. flash 初始化¶
通过调用 \ref gx_nor_init 接口初始化 flash 设备； 通过调用 \ref gx_nor_xip_init 接口初始化 flash xip；
gx_nor_init();
gx_nor_xip_init(2, 0);
8.3.2. flash 读¶
通过 \ref gx_nor_read 接口来读取 flash 中数据，其中参数 \ref GX_SPINOR_RW_T 定义如下：
addr 为 flash 需要读取的偏移地址；
len 为 flash 需要读取长度；
data 为 flash 读取数据存储 buffer；
dma_en 为 是否使用 dma 模式读取数据；
bus_mode 为传输模式，可配置单线、双线、四线等传输模式；
data_width_8or32bit 为 flash spi 的传输位宽，可配置 0 (8bit) 或 1 (32bit)；
espi_ddr_en 为双沿模式，暂不支持；
从 flash 地址 0x0 处读取 0x100 个字节数据，示例如下：
GX_SPINOR_RW_T r = {0};
uint32_t readlen = 0;
uint8_t buff[256];
r.addr = 0x0;
r.len = 0x100;
r.data = (void *)buff;
r.bus_mode = 2;
r.dma_en = 0;
r.data_width_8or32bit = 1;
r.espi_ddr_en = 0;
readlen = gx_nor_read(&r);
8.3.3. flash 擦除¶
通过 \ref gx_nor_erase_data 接口擦除 flash 中数据，其中参数定义如下：
addr 为 flash 需要擦除的偏移地址；
len 为 flash 需要擦除长度； 注意，flash 擦除最小单位大小为一个 sector (4KB) 。
示例如下：
gx_nor_erase_data(0x0, 0x1000);
8.3.4. flash 写¶
通过 \ref gx_nor_write 接口向 flash 中写数据，其中参数 \ref GX_SPINOR_RW_T 定义如下：
addr 为 flash 需要写入的偏移地址；
len 为 flash 需要写入长度；
data 为 flash 写入数据存储 buffer；
dma_en 为 是否使用 dma 模式写数据；
bus_mode 为传输模式，可配置单线、双线、四线等传输模式；
data_width_8or32bit 为 flash spi 的传输位宽，可配置 0 (8bit) 或 1 (32bit)；
espi_ddr_en 为双沿模式，暂不支持； 注意，在 flash 写操作前，必须先擦除 flash 对应区域的数据后，才能进行写入操作。
向 flash 地址 0x0 处写入 0x100 个字节数据，示例如下：
GX_SPINOR_RW_T w = {0};
uint32_t writelen = 0;
uint8_t buff[256];
w.addr = 0x0;
w.len = 0x100;
w.data = (void *)buff;
w.bus_mode = 2;
w.dma_en = 0;
w.data_width_8or32bit = 1;
w.espi_ddr_en = 0;
writelen = gx_nor_read(&w);
8.3.5. flash xip 读¶
读取 xip 地址数据，可以像访问 sram 一样访问 xip 地址。
从 xip 地址 0x0 处读取 0x100 个字节数据，示例如下：
uint8_t buff[256];
memcpy(buff, (void *)CONFIG_FLASH_XIP_BASE, 0x100);
8.3.6. flash 写保护¶
通过 \ref gx_nor_write_protect_lock 接口设置 flash 中写保护操作，可将 flash 从起始地址 0 至 特定长度的区域设置成写保护状态，其中参数定义如下：
protect_len 为 flash 写保护的长度，一般为 block size (64KB) 的整数倍；
将 flash 地址 0x0 至 1MB 处的区域写保护，示例如下：
gx_nor_write_protect_lock(0x100000);
8.3.7. flash 解除写保护¶
通过 \ref gx_nor_write_protect_unlock 接口解除整个 flash 中写保护状态。
示例如下：
gx_nor_write_protect_unlock();